Catégorie : Electronique     12/12/2005

Intel : présente le prototype d’un transistor basse consommation ultra-rapide

Crédit photo : Intel

Intel dévoile le prototype d’un transistor ultra-rapide et à basse consommation de 85 nanomètres basé InSb

Intel Corp. et QinetiQ ont annoncé le développement d'un nouveau transistor utilisant un matériau nouveau qui pourra former la base des microprocesseurs et d'autres circuits logiques pour la deuxième moitié de la prochaine décennie. Les chercheurs d'Intel et de QinetiQ ont conjointement démontré un transistor qui utilise l'antimonide d'indium (InSb) comme matériau conducteur. Selon Intel, ce prototype est beaucoup plus rapide et consomme moins de puissance que les transistors précédents (env. 50% plus performant et 10 fois moins de consommation).

« Ce nouveau matériau nous donnera la flexibilité nécessaire et nous aurons la capacité d’optimiser la performance et la puissance de nos futures plateformes » a déclaré Ken David, directeur de la recherche de technologie sur composants et de la fabrication d'Intel. « Les résultats de ces recherches nous rendent confiants pour la Loi de Moore au-delà de 2015 », assure Ken David.

Selon des chercheurs d'Intel et QinetiQ, ces transistors prototypes, avec une porte de 85nm, n’ont que la moitié de la taille de ceux révélés plus tôt. En outre, ces transistors peuvent utiliser une tension réduite, de 0,5V, c'est-à-dire env. la moitié de celle nécessaire pour les transistors des puces d'aujourd'hui.